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半導體産業鏈全景解析
發布日期:2021-04-22   來源:www.hn-crt.com   浏覽:

一(yī)、簡介

半導體指常溫下(xià)導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。

半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大(dà)功率電源轉換等領域都有應用,如二極管就是采用半導體制作的器件。

大(dà)部分(fēn)的電子産品,如計算機、智能手機等或是數字錄音機當中(zhōng)的核心單元都和半導體有着極爲密切的關聯。

常見的半導體材料有矽、鍺、砷化镓等,矽是各種半導體材料應用中(zhōng)最具有影響力的一(yī)種。

無論從科技或是經濟發展的角度來看,半導體的重要性都是非常巨大(dà)的。

二、發現曆史

1833年,英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻随着溫度的變化情況不同于一(yī)般金屬,一(yī)般情況下(xià),金屬的電阻随溫度升高而增加,但法拉第發現硫化銀材料的電阻是随着溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。

1839年,法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結,在光照下(xià)會産生(shēng)一(yī)個電壓,這就是後來人們熟知(zhī)的光生(shēng)伏特效應,這是被發現的半導體的第二個特性。

1873年,英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下(xià)電導增加的光電導效應,這是半導體的第三種特性。

1874年,德國的布勞恩觀察到某些硫化物(wù)的電導與所加電場的方向有關,即它的導電有方向性,在它兩端加一(yī)個正向電壓,它是導通的;如果把電壓極性反過來,它就不導電,這就是半導體的整流效應,也是半導體所特有的第四種特性。同年,舒斯特又(yòu)發現了銅與氧化銅的整流效應。

1911年,考尼白(bái)格和維斯首次使用半導體這個名詞。

1947年12月,貝爾實驗室完成并總結出半導體的這四個特性。

2019年10月,一(yī)個國際科研團隊稱與傳統霍爾測量中(zhōng)僅獲得3個參數相比,新技術在每個測試光強度下(xià)最多可獲得7個參數:包括電子和空穴的遷移率;在光下(xià)的載荷子密度、重組壽命、電子、空穴和雙極性類型的擴散長度。

三、半導體産業鏈全景

半導體産業鏈大(dà)緻可以劃分(fēn)爲上遊、中(zhōng)遊和下(xià)遊。

上遊包括半導體材料、生(shēng)産設備、EDA、IP核。

EDA,即電子設計自動化(Electronics Design Automation),包括電路設計與仿真工(gōng)具、PCB 設計軟件、IC 設計軟件、PLD 設計工(gōng)具等。

IP核(Intellectual Property Core)提供已經完成邏輯設計或物(wù)理設計的芯片功能模塊,通過授權允許客戶将其集成在其芯片設計中(zhōng),通過流片形成最終的芯片産品。

中(zhōng)遊包括設計、制造、封測三大(dà)環節。

下(xià)遊主要爲半導體應用,例如PC、醫療、電子、通信、物(wù)聯網、、信息安全、汽車、新能源、工(gōng)業等。

半導體可以分(fēn)爲四類産品,分(fēn)别是集成電路、光電子器件、分(fēn)立器件和傳感器。其中(zhōng)規模最大(dà)的是集成電路,市場規模達到2,753 億美元,占半導體市場的83%

集成電路從制程工(gōng)藝來看,頂尖工(gōng)藝(7nm+10nm)目前占據13%的市場份額,主要用于CPU、GPU等超大(dà)規模邏輯集成電路的制造。主要用于存儲芯片制造的14nm-28nm工(gōng)藝占據了34%的市場份額;MCU/MPU、模拟器件、分(fēn)立器件和傳感器主要使用40nm以上工(gōng)藝,占據了剩餘的41%市場份額。

另外(wài),分(fēn)立器件、傳感器、光電器件也都在半導體行業中(zhōng)起着至關重要的作用,市場規模也都不小(xiǎo)。分(fēn)立器件主要包括二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。

四、生(shēng)産模式與制造工(gōng)藝

設計過程可以粗略的分(fēn)爲确定項目需求、系統級設計、邏輯設計、硬件設計四部分(fēn)。

集成電路作爲半導體産業的核心,由于其技術複雜性,産業結構高度專業化。随着産業規模的迅速擴張,産業競争加劇,分(fēn)工(gōng)模式進一(yī)步細化。

目前,全球半導體産業有兩種商(shāng)業模式,即IDM(Integrated Device Manufacture,集成器件制造)模式和垂直分(fēn)工(gōng)模式。垂直分(fēn)工(gōng)模式主要包括Fabless(無晶圓制造的設計公司)+Foundry(晶圓代工(gōng)廠)+OSAT(封裝測試企業),另外(wài)還有IP核(Intellectual Property Core)提供方等。

IDM模式的企業主要有Intel、三星、德州儀器(TI)等,這種模式涵蓋設計、制造、封測等整個芯片生(shēng)産流程。這類企業一(yī)般具有規模龐大(dà)、技術全面、積累深厚的特點。

而垂直分(fēn)工(gōng)模式中(zhōng),則是IP核、設計、制造、封裝測試環節分(fēn)離,IP核供應商(shāng)提供專業的知(zhī)識産權模塊,設計公司(Fabless)直接面對客戶需求,但隻從事設計,将制造和封裝測試外(wài)包,即晶圓代工(gōng)廠(Foundry)、封裝測試企業和IP核供應商(shāng)爲設計公司服務。

其中(zhōng)設計公司以高通、博通、聯發科、海思爲代表,晶圓代工(gōng)廠以台積電、格羅方德、聯電、中(zhōng)芯國際爲代表,封測以日月光、矽品、安靠、長電科技爲代表。

EDA與IP授權是芯片設計的兩個關鍵步驟,也是制造的基礎。

EDA是電子設計自動化(Electronics Design Automation)的縮寫,EDA技術就是以計算機爲工(gōng)具,設計者在EDA軟件平台上,用硬件描述語言VerilogHDL完成設計文件,然後由計算機自動地完成邏輯編譯、化簡、分(fēn)割、綜合、優化、布局、布線和仿真,直至對于特定目标芯片的适配編譯、邏輯映射和編程下(xià)載等工(gōng)作。EDA技術的出現,極大(dà)地提高了電路設計的效率和可操作性,減輕了設計者的勞動強度。

EDA設計軟件包括電路設計與仿真工(gōng)具、PCB設計軟件、IC設計軟件、PLD設計工(gōng)具等。

目前EDA設計軟件領域集中(zhōng)度較高,Synopsys、Cadence和MentorGraphics三巨頭占據了EDA設計軟件市場95%以上的市場份額,Synopsys、Cadence等公司将自己的軟IP集成在設計軟件中(zhōng),進一(yī)步增加了用戶黏性,也提高了行業壁壘。

半導體IP授權主要分(fēn)爲軟IP、固IP和硬IP。軟IP是用Verilog/VHDL等硬件描述語言描述的功能塊,不涉及具體電路元件。固IP是以電路元件實現的功能模塊。硬IP提供設計的最終階段産品—掩膜。

制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形态要求,包括單晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半導體材料的不同形态要求對應不同的加工(gōng)工(gōng)藝。常用的半導體材料制備工(gōng)藝有提純、單晶的制備和薄膜外(wài)延生(shēng)長。

第三代半導體材料是以氮化镓和碳化矽爲代表的寬禁帶半導體材料,在導熱率、抗輻射能力、擊穿電場能力、電子飽和速率等方面優勢突出,更适用于高溫、高頻、抗輻射的場合。

當前全球芯片設計仍以美國爲主導,美國IC設計公司占據了全球約68%的最大(dà)份額,台灣地區IC 設計公司占16%,歐洲IC 設計企業隻占了全球市場份額的2%,日韓地區Fabless 模式并不流行。

國内對于美國公司在核心芯片設計領域的依賴程度較高。

紫光展銳、華爲海思等在移動處理器方面已進入全球前列。

中(zhōng)央處理器(CPU) 方面,英特爾幾乎壟斷了全球市場,國内相關企業約有 3-5 家,但都沒有實現商(shāng)業量産,多仍然依靠申請科研項目經費和政府補貼維持運轉。龍芯等國内 CPU 設計企業雖然能夠做出 CPU 産品,而且在單一(yī)或部分(fēn)指标上可能超越國外(wài) CPU,但由于缺乏産業生(shēng)态支撐,還無法與占主導地位的産品競争。

目前全球存儲芯片主要有三類産品,根據銷售額大(dà)小(xiǎo)依次爲:DRAM、NAND Flash 以及Nor Flash。在内存和閃存領域中(zhōng),IDM 廠韓國三星和海力士擁有絕對的優勢,截止到2017年,在兩大(dà)領域合計市場份額分(fēn)别爲75.7%和49.1%,中(zhōng)國廠商(shāng)競争空間極爲有限,武漢長江存儲試圖發展 3D Nand Flash(閃存)的技術,但目前僅處于 32 層閃存樣品階段,而三星、英特爾等全球龍頭企業已開始陸續量産 64 層閃存産品;在Nor flash 這個約爲三四十億美元的小(xiǎo)市場中(zhōng),兆易創新是世界主要參與廠家之一(yī),其他主流供貨廠家爲台灣旺宏,美國Cypress,美國美光,台灣華邦。

FPGA、AD/DA 等高端通用型芯片,具有研發投入大(dà),生(shēng)命周期長,較難在短期聚集起經濟效益,因此在國内公司層面發展較爲緩慢(màn),甚至有些領域是停滞的。

芯片設計的上市公司,都是在細分(fēn)領域的國内最強。比如彙頂科技在指紋識别芯片領域超越FPC 成爲全球安卓陣營最大(dà)指紋IC 提供商(shāng),成爲國産設計芯片在消費電子細分(fēn)領域少有的全球第一(yī)。士蘭微從集成電路芯片設計業務開始,逐步搭建了芯片制造平台,并已将技術和制造平台延伸至功率器件、功率模塊和MEMS 傳感器的封裝領域。但與國際半導體大(dà)廠相比,不管是高端芯片設計能力,還是規模、盈利水平等方面仍有非常大(dà)的追趕空間。

五、設備

半導體設備處于産業鏈上遊,貫穿半導體生(shēng)産的各個環節。按照工(gōng)藝流程可以分(fēn)爲四大(dà)闆塊——晶圓制造設備、測試設備、封裝設備、前端相關設備。再具體來說,晶圓制造設備根據制程可以主要分(fēn)爲8 大(dà)類,其中(zhōng)光刻機、刻蝕機和 薄膜沉積設備這三大(dà)類設備占據大(dà)部分(fēn)的半導體設備市場。同時設備市場高度集中(zhōng),光刻機、CVD 設備、刻蝕機、PVD 設備的産出均集中(zhōng)于少數歐美日本巨頭企業手上。

中(zhōng)國半導體設備國産化率低,本土半導體設備廠商(shāng)市占率僅占全球份額的1-2%。

關鍵設備在先進制程上仍未實現突破。目前世界集成電路設備研發水平處于12 英寸5nm,生(shēng)産水平則已經達到12 英寸7nm;而中(zhōng)國設備研發水平還處于12 英寸14-7nm,生(shēng)産水平爲12 英寸14nm,總的來看國産設備在先進制程上與國内先進水平仍有差距;具體來看65/55/40/28nm 光刻機、40/28nm 的化學機械抛光機國産化率依然爲0,28nm化學氣相沉積設備、快速退火(huǒ)設備、國産化率很低。

六、材料

半導體産業發展至今經曆了三個階段:

第一(yī)代半導體材料以矽爲代表;

第二代半導體材料砷化镓也已經廣泛應用;

而以氮化镓和碳化矽、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等爲代表的第三代半導體材料。相較前兩代産品性能優勢顯著,憑借其高效率、高密度、高可靠性等優勢,在新能源汽車、通信以及家用電器等領域發揮重要作用,成爲業内關注的新焦點。

全球半導體材料市場規模443 億美金。

Si:主要應用于集成電路的晶圓片和功率器件;

GaAs:主要應用于大(dà)功率發光電子器件和射頻器件;

GaN:主要應用于光電器件和微波通信器件;

SiC:主要應用于功率器件。

半導體材料主要分(fēn)爲晶圓制造材料和封裝材料兩大(dà)塊。晶圓制造材料中(zhōng),矽片機矽基材料最高占比31%,其次依次爲光掩模版14%、光刻膠5%及其光刻膠配套試劑7%。封裝材料中(zhōng),封裝基闆占比最高,爲40%,其次依次爲引線框架16%,陶瓷基闆11%,鍵合線15%。

日美德在全球半導體材料供應上占主導地位。各細分(fēn)領域主要玩家有:矽片——Shin-Etsu、Sumco,光刻膠——TOK、Shipley,電子氣體——Air Liquid、Praxair,CMP——DOW、3M,引線架構——住友金屬,鍵合線——田中(zhōng)貴金屬、封裝基闆——松下(xià)電工(gōng),塑封料——住友電木。

七、制造

半導體制造在半導體産業鏈裏具有卡口地位。制造是産業鏈裏的核心環節,地位的重要性不言而喻。統計行業裏各個環節的價值量,制造環節的價值量最大(dà),同時毛利率也處于行業較高水平,因爲Fabless(無晶圓制造的設計公司)+Foundry(晶圓代工(gōng)廠)+OSAT(封裝測試企業)的模式成爲趨勢,Foundry 在整個産業鏈中(zhōng)的重要程度也逐步提升,可以這麽認爲,Foundry 是一(yī)個卡口,産能的輸出都由制造企業所掌控。

代工(gōng)業呈現非常明顯的頭部效應 根據IC Insights 的數據顯示,在全球前十大(dà)代工(gōng)廠商(shāng)中(zhōng),台積電一(yī)家占據了超過一(yī)半的市場份額,前八家市場份額接近90%。

八、封測

封測行業位于半導體産業鏈末端,其附加價值較低,勞動密集度高,進入技術壁壘較低,封測龍頭日月光每年的研發費用占收入比例約爲4%左右,遠低于半導體IC 設計、設備和制造的世界龍頭公司。

封測行業呈現出台灣地區、美國、大(dà)陸地區三足鼎立之态,其中(zhōng)長電科技/通富微電/華天科技已通過資本并購運作,市場占有率跻身全球前十(長電科技市場規模位列全球第三),先進封裝技術水平和海外(wài)龍頭企業基本同步,BGA、WLP、SiP 等先進封裝技術均能順利量産。

九、行業頭部廠商(shāng)

半導體廠商(shāng)可區分(fēn)成三種:

芯片制造商(shāng)(如英特爾、三星電子),設計、制造與銷售自有芯片。

無廠半導體公司(如高通、聯發科、海思、威盛、瑞昱),設計并銷售自己的芯片,制造是委外(wài)代工(gōng)的。

晶圓代工(gōng)(如台積電、聯電),隻制造芯片,不進行設計工(gōng)作。

根據全球半導體貿易統計組織(WSTS)的數據,2018年全球半導體(含分(fēn)立器件、光電子、傳感器、集成電路)市場規模高達4687.8億美元,而2019年預計市場規模将超過5000億美元。整個半導體産業中(zhōng)集成電路(IC)占83%,占比最大(dà)。

權威半導體第三方調研機構 IC Insights 發布了其 2020 年第一(yī)季度全球十大(dà)半導體(IC 和 OSD,OSD 是光電器件、傳感器和分(fēn)立器件的縮寫)銷售排名,前十廠商(shāng)分(fēn)别是英特爾、三星、台積電、SK 海力士、美光、博通、高通、德州儀器、英偉達和海思。

根據 IC Insights 的統計,排名前十的半導體公司 2020 年第一(yī)季度銷售額同比增長了 16%,是同期半導體全行業增長 7%的兩倍多。這十家公司中(zhōng)有九家的 2020 年第一(yī)季度銷售額超過了 30 億美元,比 2019 年多加了一(yī)家。

按地區來劃分(fēn),前十名中(zhōng)有 6 家美國公司、2 家韓國企業、中(zhōng)國大(dà)陸和中(zhōng)國台灣各 1 家,其中(zhōng)四家爲無晶圓廠公司(Broadcom,Qualcomm,Nvidia 和 HiSilicon),一(yī)家純晶圓代工(gōng)廠(TSMC)。

和去(qù)年同期一(yī)樣,該榜單的前三名依舊是英特爾、三星和台積電。

數據顯示,英特爾 2020 年第 1 季營收 195.08 億美元,年增 23%,穩居全球半導體龍頭寶座。三星則以第一(yī)季度 147.97 億美元、年增 15%的營收緊随其後,爲第 2 大(dà)半導體廠。

而排名第三的台積電,在海思與蘋果 7nm 智能手機應用處理器大(dà)量出貨的貢獻下(xià),第一(yī)季度營收達 103.19 億美元,年增 45%。

十、全球市場及發展趨勢

半導體被稱爲制造業皇冠上的明珠,半導體産業是信息技術産業的核心,是推動傳統工(gōng)業轉型升級和提升中(zhōng)國“智造”水平的物(wù)質支撐,是支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性産業。

2010年以來,全球半導體行業從PC時代進入智能手機時代,進入新一(yī)輪快速成長期。創新不斷推動行業發展,分(fēn)工(gōng)細化降低進入壁壘。

從具體産品分(fēn)類來看,IC Insights提供的數據顯示,智能手機、PC、汽車電子、IOT(Internet of Things,物(wù)聯網)和服務器占據前五大(dà)的位置,智能手機仍是應用領域的第一(yī)大(dà)場景。

我(wǒ)國半導體産業的進口替代空間巨大(dà)。半導體産業鏈制造能力的不足使我(wǒ)國成爲半導體進口第一(yī)大(dà)國。2018年,中(zhōng)國淨進口的集成電路全球占比高達56.45%。集成電路進口額從2015年起已連續4年超過原油,成爲我(wǒ)國進口金額最大(dà)的商(shāng)品。

半導體制造作爲重資産行業,資本開支巨大(dà)。目前全球半導體産業的資本支出非常集中(zhōng),前5大(dà)廠商(shāng)就占了整個資本支出的65%左右,三星一(yī)家大(dà)概占20%-25%,2017年全球資本支出同比增長34%,達到新高900億美元之後,預計2018年全球資本支出将首次超過1000億美元,達到1026億美元,同比增長14%。

2014年工(gōng)信部發布《國家集成電路産業發展推進綱要》以及随後發起設立“國家集成電路産業投資基金”(簡稱“大(dà)基金”)以來,國内半導體産業的發展掀起新一(yī)輪熱潮。半導體産業的投資主體沿着中(zhōng)央政府-----地方政府-----産業資本的道路滾動推進。

國家大(dà)力推動半導體産業加速發展

據 Gartner預測,2019年、2020年、2021年、2022年,全球半導體市場銷售分(fēn)别爲4,890億美元、5,280億美元、5,190億美元、5,390億美元,分(fēn)别增長2.5%、8.1%、-1.8%、3.8%。

半導體産業已成爲全球創新最爲活躍的領域。以5G、汽車電子、物(wù)聯網、AI(人工(gōng)智能)、高性能運算、數據中(zhōng)心、工(gōng)業機器人、智能穿戴等爲驅動因素的新一(yī)輪矽含量提升周期到來,給半導體産業帶來新機遇。

 

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